講演情報
[20p-B101-4]炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させたhBN薄膜に混在する多形BNの空間分解カソードルミネッセンス評価
〇秩父 重英1、梅原 直己2、原 和彦2、嶋 紘平1 (1.東北大多元研、2.静大電子研創造科学院)
キーワード：
光半導体材料,窒化ホウ素,空間分解カソードルミネッセンス
積層順AA'で表される六方晶(h)BNは、間接遷移型半導体でありながら室温において禁制帯幅(約6 eV)に相当する215nm付近の高効率発光を呈すため深紫外線発光材料として期待できる。近年hBN薄膜の気相成長の研究が活発化しており、静大の原らは炭素フリー原料を用いた減圧CVD法によりサファイアc面上にhBN薄膜をエピタキシャル成長させ、構造的･光学的特性を報告してきた。我々は原らの薄膜の評価を通じ、成長条件によってはグラファイト積層(AB積層)のbernal (b)相[7]が混入することを把握した。本講演では空間分解カソードルミネッセンス(SRCL)測定結果に関して考察を行う。