セッション詳細

[20p-B101-1~16]15.4 III-V族窒化物結晶

2023年9月20日(水) 13:30 〜 18:00
B101 (市民会館)
小島 一信(阪大)、 上野 耕平(東大)、 大音 隆男(山形大)

[20p-B101-1]エチレンジアミンを加えたMist CVD法によるCu3N薄膜成長

〇(M2)吉田 将吾1、大村 和世2、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、山口 智広1、正橋 直哉2、本田 徹1 (1.工学院大、2.東北大 金研)

[20p-B101-2]マグネトロンスパッタリング成長におけるc-BN相の成長機構

〇平間 一行1、熊倉 一英1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)

[20p-B101-3]MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響

〇(M2)大石 悠翔1、肖 世玉1、上杉 謙次郎2,3、秋山 亨1、三宅 秀人1 (1.三重大院工、2.院地域イノベ、3.研究基盤推進機構)

[20p-B101-4]炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させたhBN薄膜に混在する多形BNの空間分解カソードルミネッセンス評価

〇秩父 重英1、梅原 直己2、原 和彦2、嶋 紘平1 (1.東北大多元研、2.静大電子研創造科学院)

[20p-B101-5]斜め研磨加工を用いたBGaN薄膜の光学特性評価

〇小関 凌也1、中村 大輔1、工藤 涼兵1、伊藤 哲1,3、嶋 紘平2、秩父 重英2、中野 貴之1,3 (1.静大院工、2.東北大多元研、3.静大電研)

[20p-B101-6]過酷環境下での動作を目指したBGaNダイオードの作製と諸特性評価

〇工藤 涼兵1、櫻井 辰大1、川崎 晟也2、岸下 徹一3、櫻井 良憲4、八島 浩4、牧野 高紘5、大島 武5、本田 善央6、天野 浩6、井上 翼1、青木 徹7、中野 貴之1,7 (1.静大院工、2.名大院工、3.高エネ研、4.京大複合研、5.量研、6.名大IMaSS、7.静大電研)

[20p-B101-7]Si 基板及び QST 基板上への BGaN 成長を用いた 中性子検出器の作製と評価

〇(M2)西川 瞬1、橋本 優作1、川崎 晟也2、若林 源一郎3、本田 善央4、天野 浩4、伊藤 範和5、田中 岳利5、中原 健5、井上 翼1、青木 徹6、中野 貴之1,6 (1.静大院工、2.名大院工、3.近大原研、4.名大IMaSS、5.ローム、6.静大電研)

[20p-B101-8]誘電体薄膜と金属ナノ構造を用いたInGaN/GaN量子井戸の高効率発光

〇岡本 晃一1、垣内 晴也1、亀井 勇希1、三戸田 健太1、藤岡 宏輔1、松山 哲也1、和田 健司1、船戸 充2、川上 養一2 (1.阪公大院工、2.京大院工)

[20p-B101-9]銀プラズモニック結晶の導入によるハニカム格子InGaNナノコラムの赤色発光増強とその特性評価

〇白鳥 遼磨1、山田 純平2,3、岡本 晃一5、富樫 理恵3,4、岸野 克巳3、大音 隆男1 (1.山形大院理工、2.慶應大理工、3.上智大ナノテク、4.上智大理工、5.阪公大院工)

[20p-B101-10]トポロジカル構造を用いたInGaN系フォトニクスの開発

〇井村 将隆1、桑 立雯1、武田 良彦1、長尾 忠昭1、小出 康夫1、中津川 啓治1、苅宿 俊風1、古月 暁1 (1.物材機構)

[20p-B101-11]窒化物半導体ナノワイヤのトップダウン法による作製

〇舘野 功太1,2、滝口 雅人1,2、佐々木 智1、江端 一晃1、熊倉 一英1、谷保 芳孝1 (1.NTT 物性研、2.NTT NPC)

[20p-B101-12]下地n-GaN形状制御によるナノテンプレート選択成長InGaN/GaNナノコラムの発光特性

〇工藤 駿介1、吉村 賢哉1、富樫 理恵1,2、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智ナノテク)

[20p-B101-13]異なる発光面積を有するGaInN/GaN系多重量子殻LEDの光学特性

〇(M2)稲葉 颯磨1、Lu Weifang2、島 綾香1、伊井 詩織1、高橋 美月1、山中 優輝1、服部 祐汰1、久保田 光星1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.廈門大学)

[20p-B101-14]n型GaInN六角ナノピラミッド上赤色GaInN系多重量子殻の成長と光学特性

〇島 綾香1、Weifang Lu2、高橋 美月1、山中 優輝1、稲葉 颯磨1、伊井 詩織1、服部 祐汰1、久保田 光星1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大、2.厦門大)

[20p-B101-15]量子殻GaN系LDのトンネル接合層の炉内その場活性化アニール条件の最適化

〇高橋 美月1、山中 優輝1、伊井 詩織1、島 綾香1、稲葉 颯磨1、久保田 光星1、服部 祐汰1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大理工)

[20p-B101-16]端面コーティングしたn-GaN埋め込み型量子殻LD構造の発光特性

〇伊井 詩織1、髙橋 美月1、山中 優輝1、島 綾香1、稲葉 颯磨1、久保田 光星1、服部 裕汰1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、野中 健太朗2、倉岡 義孝2、吉野 隆史2 (1.名城大理工、2.日本ガイシ研究開発本部)