[20p-B202-1~16] 11.1 基礎物性

17:45 〜 18:00

[20p-B202-16] NdFeAs(O,H)における臨界電流密度のH置換量依存性及び人工粒界作製

〇畑野 敬史¹、今中 宏哉¹、日比野 絢斗¹、飯田 和昌^2,3、生田 博志¹ (1.名大工、2.日大生産工、3.JST-CREST)

キーワード：

鉄系超伝導体,薄膜,粒界接合

NdFeAsOは、OサイトにFやHを置換することにより50 Kを超える高い超伝導転移温度を示す。最近、F置換試料より多くの置換が可能なNdFeAs(O,H)について良質な単結晶薄膜を作製して基礎物性測定を進めたところ、F置換試料の固溶限界を超えるキャリアドープに相当するH置換試料において、F置換試料を凌駕するJ_cが得られることが分かった。そこで本研究では、J_cのH置換量依存性を明らかにするとともに、H置換薄膜における人工粒界の作製に取り組んだので報告する。