[20p-C301-1~13] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

16:00 〜 16:15

[20p-C301-11] IBS成膜によるTiNバッファーを用いたエピタキシャルNbTaN膜の評価

〇牧瀬 圭正^1,2,3、山森 弘毅³、市川 聡夫⁴、小嶋 崇文^1,2、鵜澤 佳徳^1,2 (1.国立天文台、2.総研大、3.産総研、4.熊本大学)

キーワード：

超伝導,薄膜

ALMA2プロジェクトにおいてSISミキサの高性能化を進めている。バンド10ミキサはNbTiN膜上にNb接合形成し、Alで配線されている。高周波特性の向上のためにはωCR積を小さくする必要があり、現行の10kA/cm²より2倍以上の臨界電流密度（J_C）かつリークの少ない高品質な接合の実現を目指している。そこで今回我々はNbTaN膜の可能性について調査した。