[20p-P07-1~49] 1 応用物理学一般（ポスター）

[20p-P07-43] 弱磁場条件下の偏極中性子オフスペキュラー散乱

〇花島 隆泰¹、阿久津 和宏¹、大坂 藍²、田中 秀和²、服部 梓²、吉良 弘¹、宮田 登¹、鈴木 淳市¹、加倉井 和久³ (1.CROSS、2.大阪大学、3.東北大学)

キーワード：

磁気ドメイン評価,偏極中性子散乱,オフスペキュラー散乱

偏極中性子反射率法は界面磁気構造を非破壊で評価できる手法であり、J-PARC MLF BL17写楽では、強い磁場環境 (5mT～6.5T) を利用した磁性薄膜研究において多くの成果が創出されてきた。また、BL17写楽ではスピントロニクスデバイス研究等のための弱磁場装置 (2mT程度) の整備を手掛けており、その実用化を達成している。一方、近年は磁性膜の埋もれた界面の磁気ドメイン観察の需要が増加しており、偏極中性子オフスペキュラー散乱 (以後、偏極OSS) 法による磁性膜面内の磁気モーメント及びドメインサイズ分析法の確立が急務となっている。
本研究では、疑似的な磁気ドメインが規則的に配列した鉄ワイヤ試料を用いて偏極OSS実験を行った。当日はその結果を発表するとともに、観察可能な磁気ドメインサイズ、実験可能な磁場・温度条件などを具体的に紹介する。