[20p-P07-1~49] 1 応用物理学一般（ポスター）

[20p-P07-49] 分極反転SiAlN/AlN多層膜を用いた5GHz動作高次モードSMR型共振子

〇鈴木 雅視¹、関本 淳¹、福永 慶¹、垣尾 省司¹ (1.山梨大)

キーワード：

AlN膜,分極反転,薄膜共振子

SMR型共振子は機械的強度，耐電力性に優れるが，FBAR型よりk_eff²，Q値が小さくなる。分極反転多層膜を用いた高次モード薄膜共振子では圧電層の音響インピーダンスが疑似的に増加するため，SMRでのk_eff²，Q値の改善が期待できる。本研究では分極反転SiAlN/AlN多層膜を用いた高次モードSMR型共振子の形成，評価を行った。2層および4層分極反転SiAlN/AlN膜SMRは5GHz付近でそれぞれ2次モード，4次モードで共振し，分極反転層数が増えるにつれてQ値が大きくなった。