[21a-A307-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[21a-A307-2] VO₂三端子素子における電界誘起「絶縁転移」のダイナミクス

〇浜砂 智¹、パティ サトウヤ プラカシュ¹、矢嶋 赳彬¹ (1.九州大学)

キーワード：

酸化物,三端子デバイス