2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-A307-1~10]6.3 酸化物エレクトロニクス

2023年9月21日(木) 9:00 〜 11:30
A307 (熊本城ホール)
長谷川 剛(早大)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[21a-A307-1]ミストCVDによるスマートウインドウやサーモクロミック応用に向けたNドープVO2薄膜の形成及び物性評価

〇(M1)加納 大成1、新田 悠汰1、西中 浩之1、吉本 昌広1 (1.京工繊大)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[21a-A307-2]VO2三端子素子における電界誘起「絶縁転移」のダイナミクス

〇浜砂 智1、パティ サトウヤ プラカシュ1、矢嶋 赳彬1 (1.九州大学)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[21a-A307-3]電圧ノイズ重畳による抵抗変化型メモリの動作安定化

〇(M1)高谷 健太郎1,2、菅 洋志1、島 久2、内藤 泰久2、秋永 広幸2 (1.千葉工大、2.産総研)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[21a-A307-4]Pt/Nb:SrTiO3接合の抵抗緩和過程におけるショットキーパラメータの時間依存性とドーピング濃度の関係

〇中村 駿斗1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[21a-A307-5]光電子シナプスデバイス実現に向けた電極/Nb:SrTiO3接合の光応答特性評価

〇佐田 晋1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)
10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[21a-A307-6]4端子平面型TiO2-xメモリスタにおける酸素空孔挙動の有限要素法解析

〇(M1)小泉 優紀1、三宅 亮太郎1、林 侑介1、藤平 哲也1、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[21a-A307-7]カチオン吸着酸化チタン薄膜トランジスタのチャネル伝導度変調

〇宮澤 諒1、鈴木 晴登1、竹田 響綺1、三浦 正範1、廣瀬 文彦1 (1.山形大院理工)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[21a-A307-8]高圧アニーリングにより炭素不純物ドーピングしたアナターゼ/ルチル混晶型TiO2ナノ粒子の光触媒活性

〇(M2)松本 拓海1、川上 烈生1、柳谷 伸一郎1,2、新部 正人3、中野 由崇4 (1.徳島大理工、2.徳島大pLED、3.兵庫県立大、4.中部大)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[21a-A307-9]金ナノ粒子の局在表面プラズモン共鳴により増強された
TiO2/Au/TiO2/Auナノ構造体の光触媒反応性

〇(M1)宮路 裕貴1、川上 烈生1、柳谷 伸一郎1,2、新部 正人3、中野 由祟4 (1.徳島大理工、2.徳島大pLED、3.兵庫県立大、4.中部大)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[21a-A307-10]半導体表面吸着水の膜厚制御による水分解光触媒反応の高活性化

〇(DC)林 仲秋1,2、斎藤 晃1、佐藤 宏祐1、杉本 敏樹1,2 (1.分子研、2.総研大)
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