[21a-A308-1~10] CS.6 3.10 フォトニック構造・現象、 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクスのコードシェアセッション

11:45 〜 12:00

[21a-A308-10] FeFET 駆動型不揮発性ハイブリッド MOS 位相シフタの Endurance・Retention 特性

〇藤田 将大¹、唐 睿¹、湯 涵智¹、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工)

キーワード：

光位相シフタ

シリコンフォトニクスを用いたプログラマブル光回路の高速化・低消費電力化のために、不揮発性メモリ機能を持つ光位相シフタが求められている。我々は、低消費電力・低損失・高速なIII-V/SiハイブリッドMOS 光位相シフタに、強誘電体 FET(FeFET)を組み合わせた不揮発性光位相シフタを提案している。今回、不揮発性メモリとしての書き込み可能回数、データ保持時間について評価を行ったので、報告する。