講演情報
[21a-A308-3]エッチングナノワイヤ集積ハイブリットIII-V Siフォトニック結晶共振器の全光スイッチ動作
〇滝口 雅人1,2、藤井 拓郎1,3、武村 尚友1,2、角倉 久史1,2、新家 昭彦1,2、松尾 慎治1,3、納富 雅也1,2,4 (1.NTT NPC、2.NTT 物性研、3.NTT 先デ研、4.東工大理)
キーワード：
フォトニック結晶,ナノワイヤ,光スイッチ
今回我々は、化合物半導体ナノワイヤをエッチングプロセスで精密に作製し、Siフォトニック結晶のトレンチに集積することで、エアギャップの小さいIII-Vナノワイヤ-Siのハイブリッドフォトニック結晶共振器を作製した。エッチングでナノ構造を作製すれば、任意形状を作製でき、素子サイズにより非発光再結合レートを制御できるため高速な光スイッチへ応用できる。エッチングで作製したナノワイヤは、転写プリント法・µマニピュレータ・原子間力顕微鏡を用いてフォトニック結晶に導入した。probe光(CW光)を導入した状態で、fsレーザのパルス光をあてることで全光スイッチの動作を評価した。