講演情報
[21a-A308-6]InP/Siハイブリッド光パワーモニタとMOS型光位相シフタの一体集積
〇赤澤 智熙1、隅田 圭1、モンフレ ステファン2、ブフ フレデリック2、トープラサートポン カシディット1、高木 信一1、竹中 充1 (1.東大院工、2.STマイクロエレクトロニクス)
キーワード：
フォトニクス,受光器,光集積回路
Siフォトニクス技術を用いてプログラマブル光回路（PIC）を実装し，コンピューティングなどに応用する研究が注目を集めているが，所望の動作のためにPICを正しくプログラミングするには，多数集積された光位相シフタの光位相シフト量を電気的に正確に制御することが必須である。しかし，実際には，素子作製誤差などに起因した位相誤差が存在するため，光位相シフタの校正が必要となるが，これまで高感度かつ低損失な光パワーモニタは実証されていなかった。そこで本研究では，近赤外光に対して透明なInPのトラップ準位を介した光吸収と，フォトトランジスタの増幅作用を用いることで，光損失を最小限に抑えながら，高感度な光パワーモニタを実現し，さらに，高性能なInP/Si MOS型光位相シフタを用いたMZIと一体集積することで，光位相シフトに伴うMZIの光強度変化をモニタすることに成功したので報告する。