講演情報
[21a-A501-9]白色ノイズを印加されたaF キャパシタDRAM 中のエネルギー輸送の観測
〇知田 健作1、藤原 聡1、西口 克彦1 (1.NTT物性研)
キーワード：
シリコンナノデバイス,電子計数統計,エネルギー輸送
ビットラインに白色ノイズを印加されたaFキャパシタDRAMを出入りする単電子の計数統計からaFキャパシタDRAM内におけるエネルギー輸送量を導出した。その結果、ナノデバイス内で発生するエネルギー輸送量がノイズ振幅に対して指数関数的に増大することが分かった。この成果は、電子計数統計がナノメートルスケールのエネルギー輸送について研究するために有用なツールであることを示す。