講演情報
[21a-B101-10]GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスに向けた高次導波モード励起グレーティング結合器
〇古川 裕也1、本田 啓人1、池田 和久1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工)
キーワード：
光パラメトリック下方変換,窒化ガリウム,グレーティング結合器
GaNの極性を反転積層させた横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた光子対発生にはモード分散位相整合のために入射光を高次モードとして導波路に結合させる必要がある。それにはグレーティング結合器（GC）との集積が有効かつ、入射光の位置合わせが導波路端面結合に比べて格段に容易となる。そこで高次導波モードを励起可能なGCを集積したGC集積GaN横型QPM光子対発生デバイスを提案し、入射角度依存性から高次モード励起を確認した。