セッション詳細
[21a-B101-1]光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
〇藤澤 孝博1、Nan Hu1、小嶋 智輝1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
[21a-B101-2]InGaN光電変換素子を用いた光無線給電の検討
〇古賀 誠啓1、渋井 駿昌1、高橋 龍成1、鈴木 淳一1、青山 怜央1、野口 尊央1、林 駿希1、藤澤 孝博2、伊井 詩織4、渡邊 琉加4、深町 俊彦3、難波江 宏一3、三好 実人2、竹内 哲也4、上山 智4、内田 史朗1 (1.千葉工大、2.名古屋工大、3.ウシオ電機、4.名城大)
[21a-B101-3]ゲートリセス領域を有する高Al組成AlGaNチャネルHEMTのノーマリーオフ動作
〇中岡 樹1、漆山 真1、久保田 悦司2、上杉 謙次郎2,3、中村 孝夫1、三宅 秀人1 (1.三重大院工、2.三重大院イノベ、3.三重大研究基盤推進機構)
[21a-B101-4]スパッタ法により作製したAlN/Al0.6Ga0.4N/AlN HEMTの耐圧特性評価
〇(D)前田 亮太1、小坂 鷹生1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
[21a-B101-9]空気/GaN高反射率DBRを装荷したInGaN系MQWレーザの特性解析
〇佐藤 秀哉1、早野 太樹1、菊池 昭彦1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研)
[21a-B101-10]GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスに向けた高次導波モード励起グレーティング結合器
〇古川 裕也1、本田 啓人1、池田 和久1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工)
[21a-B101-11]表面活性化接合法で作製したGaN/GaN界面近傍のケルビン・プローブ・フォース顕微鏡による断面計測
〇文 思翰1、澤井 一樹3、梁 剣波3、重川 直輝3、高橋 琢二1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構、3.大阪公立大院工)