2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-B101-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶

2023年9月21日(木) 9:00 〜 12:00
B101 (市民会館)
本田 善央(名大)、 新田 州吾(名大)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[21a-B101-1]光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価

〇藤澤 孝博1、Nan Hu1、小嶋 智輝1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
9:15 〜 9:30

[21a-B101-2]InGaN光電変換素子を用いた光無線給電の検討

〇古賀 誠啓1、渋井 駿昌1、高橋 龍成1、鈴木 淳一1、青山 怜央1、野口 尊央1、林 駿希1、藤澤 孝博2、伊井 詩織4、渡邊 琉加4、深町 俊彦3、難波江 宏一3、三好 実人2、竹内 哲也4、上山 智4、内田 史朗1 (1.千葉工大、2.名古屋工大、3.ウシオ電機、4.名城大)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[21a-B101-3]ゲートリセス領域を有する高Al組成AlGaNチャネルHEMTのノーマリーオフ動作

〇中岡 樹1、漆山 真1、久保田 悦司2、上杉 謙次郎2,3、中村 孝夫1、三宅 秀人1 (1.三重大院工、2.三重大院イノベ、3.三重大研究基盤推進機構)
9:45 〜 10:00

[21a-B101-4]スパッタ法により作製したAlN/Al0.6Ga0.4N/AlN HEMTの耐圧特性評価

〇(D)前田 亮太1、小坂 鷹生1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
10:00 〜 10:15

[21a-B101-5]AlN/AlGaNマルチチャネル構造ショットキーバリアダイオード

〇小坂 鷹生1、前田 亮太1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
10:15 〜 10:30

[21a-B101-6]AlN/n-SiCバルク音響共振器のミリ波帯動作

〇黒子 めぐみ1、畑中 大樹1、太田 竜一1、山口 浩司1、谷保 芳孝1、岡本 創1 (1.NTT物性研)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[21a-B101-7]PEDOT:PSSを正孔輸送層に用いたGaInN系青色LED

〇加藤 悠真1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学理工)
11:00 〜 11:15

[21a-B101-8]窒化物半導体緑色レーザー特性における端面反射率の影響

〇臼井 広大1、東 莉大1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大理工)
11:15 〜 11:30

[21a-B101-9]空気/GaN高反射率DBRを装荷したInGaN系MQWレーザの特性解析

〇佐藤 秀哉1、早野 太樹1、菊池 昭彦1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研)
11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[21a-B101-10]GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスに向けた高次導波モード励起グレーティング結合器

〇古川 裕也1、本田 啓人1、池田 和久1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工)
11:45 〜 12:00

[21a-B101-11]表面活性化接合法で作製したGaN/GaN界面近傍のケルビン・プローブ・フォース顕微鏡による断面計測

〇文 思翰1、澤井 一樹3、梁 剣波3、重川 直輝3、高橋 琢二1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構、3.大阪公立大院工)
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