[21a-B203-1~11] CS.12 9.4 熱電変換、合同セッションMのコードシェアセッション

11:45 〜 12:00

[21a-B203-11] Ge空孔量制御したエピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱電特性

〇石部 貴史^1,2、成瀬 延康³、目良 裕³、山下 雄一郎⁴、大石 佑治⁵、中村 芳明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.滋賀医科大、4.産総研、5.阪大院工)

キーワード：

熱電材料,カルコゲナイド,熱伝導率