セッション詳細
[21a-B203-1~11]CS.12 9.4 熱電変換、合同セッションMのコードシェアセッション
2023年9月21日(木) 9:00 〜 12:00
B203 (市民会館)
鵜殿 治彦(茨城大)、 野村 政宏(東大)
[21a-B203-1]エピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜/Siによる熱伝導率の低減
〇平田 悠海1、堀田 亮輔1、石部 貴史1,2、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI)
[21a-B203-4]Impact of Metal/Semiconductor Contact Numbers in an Integrated Silicon Micro Thermoelectric generator
〇(D)Md MehdeeHasan Mahfuz1, Shuhei Arai1, Yuma Miyake1, Cao Zhi1, Takeo Matsuki2, Watanabe Takanobu1 (1.Waseda Univ., 2.AIST)
[21a-B203-6]Thermoelectric Performance Enhancement of SrTiO3 with Reduced Thermal Conductivity by Hydride Anion Substitution
〇XINYI HE1, Seiya Nomoto1, Takayoshi Katase1, Terumasa Tadano2, Toshio Kamiya1 (1.MDX ES, Tokyo Tech, 2.NIMS)
[21a-B203-7]硫黄欠損を導入したコルーサイトCu26Ti2Sb4Ge2S32の熱電物性
〇末國 晃一郎1、SAUERSCHNIG Philipp2、太田 道広2、大瀧 倫卓1 (1.九大院総理工、2.産総研GZR)
[21a-B203-9]AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスにおける熱電出力因子制御
〇上松 悠人1、石部 貴史1,2、間野 高明3、大竹 晃浩3、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.物材機構)
[21a-B203-10]巨大横ゼーベック係数獲得へ向けたエピタキシャルFe3Si薄膜/Siの組成比制御
〇北浦 怜旺奈1、石部 貴史1,2、水口 将輝3、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.名大未来研)
[21a-B203-11]Ge空孔量制御したエピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱電特性
〇石部 貴史1,2、成瀬 延康3、目良 裕3、山下 雄一郎4、大石 佑治5、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.滋賀医科大、4.産総研、5.阪大院工)