講演情報
[21a-B203-8]フォノン散乱による有限温度効果を考慮したMg2Si系材料の電子状態および熱電特性の計算
〇平山 尚美1 (1.島大NEXTA)
キーワード：
熱電物質,第一原理計算,不純物ドープ
環境低負荷かつ高出力な熱電材料の開発にむけて，理論計算による高精度な物性予測は強力なツールとなり得る．本研究では，無毒，軽量，安価な環境低負荷型熱電材料であるMg2Siに着目し，不純物ドープ系の電子状態と熱電特性を理論的に解析した．まず，KKR-CPA法により，フォノン散乱による有限温度効果を考慮した電子状態計算を行い，その後，線形応答理論による熱電計算を実施した結果，実験を定性的に再現する結果が得られた．