講演情報
[21a-B204-2]LiNbO3/SiO2常温接合界面の原子スケール解析とLiNbO3 on Insulator/Si超高速光変調器の実証
〇村上 誠悟1、森友 健留1、山口 裕也2、坂本 高秀3、多喜川 良1 (1.九州大学、2.情報通信研究機構、3.東京都立大学)
キーワード：
光変調器
我々はLNOI超高速光変調器とLSI、MEMS、Siフォトニクスなどの融合を見据えてLNOIとSiの大口径ウエハヘテロジニアス集積を目指している。本研究では活性Si原子中間層を用いた室温ウエハ接合法によるLN/熱酸化Si(SiO2)接合体を作製し、ナノ接合界面近傍の原子の挙動について詳細な解析を行うとともに、薄膜LNOI/Si超高速光変調器(100GHz以上)の実証を行った。