講演情報

[21a-C402-1]TBPによる(111)面リンドープn型ダイヤモンド膜のホール移動度

〇川島 宏幸1、川瀬 凜久1、加藤 宙光2、徳田 規夫3、山崎 聡3、小倉 政彦2、牧野 俊晴2、森岡 直也1,4、水落 憲和1,4 (1.京大化研、2.産総研、3.金沢大、4.京大CSRN)

キーワード:

ダイヤモンド半導体,リンドープ,移動度