講演情報

9:00 〜 9:15

[21a-C402-1]TBPによる(111)面リンドープn型ダイヤモンド膜のホール移動度

〇川島宏幸¹、川瀬凜久¹、加藤宙光²、徳田規夫³、山崎聡³、小倉政彦²、牧野俊晴²、森岡直也^1,4、水落憲和^1,4 (1.京大化研、2.産総研、3.金沢大、4.京大CSRN)

ダイヤモンド半導体,リンドープ,移動度