[21a-C402-1~7] CS.9 6.2 カーボン系薄膜、KS.1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[21a-C402-5] 分子イオン注入によって形成したNVセンター対の量子もつれ状態生成

〇(D)木村 晃介^1,2、小野田 忍^2,3、加田 渉¹、寺地 徳之^4,3、磯谷 順一⁵、馬場 智也^1,2、後藤 政哉^1,2、花泉 修¹、大島 武² (1.群馬大、2.量研、3.横国大QIC、4.物材機構、5.筑波大)

キーワード：

NVセンター,量子ビット,量子状態トモグラフィ

ダイヤモンド中のNVセンターは、高感度・高分解能な量子センサへの応用が期待されている。双極子結合したNVセンター対に量子もつれ状態を生成させてセンシングに応用できれば、さらなる高感度測定が実現できる。我々は、NVセンター対を効率的に形成する分子イオン注入法の開発を行ってきた。本発表では、分子イオン注入によって形成したNVセンター対に量子もつれ状態を生成し、その忠実度がどの程度あるか議論する。