講演情報
[21a-P03-12]UHVスパッタエピタキシー法による六方晶ZnSnN2層の成長
〇長澤 俊輝1、吉田 圭祐1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大学工)
キーワード：
窒化亜鉛スズ,スパッタリング法,六方晶
近年，GaNやInNのⅢ族窒化物半導体の代替材料としてII-IV-V2族半導体が注目されている．その中でZnSnN2は，希少金属のGaやInに比べてZnやSnが豊富に存在するため安価に合成することができる．そのため，太陽電池等に用いられる新たな材料として期待されている．我々はこれまで，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて，c面サファイア基板上へZnSnN2層の成長を行い，その結晶構造等について報告した．基板温度が700℃において，最も結晶性に優れた六方晶ZnSnN2層が成長することが解った．今回は，ZnSnN2との格子不整合率が小さいZnOテンプレート上へZnSnN2層を成長し，その結晶性等について検討を行った．