講演情報
[21a-P05-5]Si(111)-(4x1)-In表面の走査トンネルポテンショメトリー測定
〇浜田 雅之1、長谷川 幸雄1 (1.東大物性研)
キーワード：
走査トンネルポテンショメトリー,表面電気伝導,Si(111)-(4x1)-In
走査トンネルポテンショメトリー(STP)は、試料表面に電流が流れている状態での電位分布を極めて高い電位分解能・空間分解能で描き出す手法である。我々は、超高真空対応の装置開発を進め、異方性の強い構造を持つ１次元金属を持つことで知られるSi(111)-(4x1)-In表面超構造のSTP測定を行い、In金属原子鎖が確認できる表面像とそれに対応する電位像を同時に取得することに成功したので報告する。