講演情報
[21a-P06-5]Mgイオン注入後低温アニールを行ったGaNのMOS構造を用いた評価
〇羅 宇瀏1、畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
キーワード：
GaN,Mgイオン注入
GaNのパワーデバイス応用において、イオン注入技術の確立が望まれる。そのためには、イオン注入により発生する欠陥について、その起源をよく調べ、制御方法を見出す必要がある 。我々は、制御方法と して、Mgイオンの活性化に必要な高温でのアニールの前に、比較的低温でのアニールを行い、特に格子間 Ga（Gai）の拡散を利用して空孔欠陥を制御し、Mgイオンの高効率活性化につなげることができないかについて検討している。本報告においては、イオン注入後の Gai に注目し、低温アニールによる効果を、MOS構造を用いて検討した結果について報告する。