2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
詳細検索

セッション詳細

一般セッション(ポスター講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-P06-1~17]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年9月21日(木) 9:30 〜 11:30
P06 (熊本城ホール)

[21a-P06-1]ハイブリッド密度汎関数法による4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の面方位依存性の理論解析

〇(M2)松田 隼1、秋山 亨1、畠山 哲夫2、白石 賢二3、中山 隆史4 (1.三重大院工、2.富山県立大工、3.名大未来研、4.千葉大理)

[21a-P06-2]GaNのコンタクトレス光電気化学（CL-PEC）エッチングにおける溶液pHの影響

〇大澤 由斗1、赤澤 正道1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)

[21a-P06-3]コンタクトレスPECエッチングを用いたAlGaN/GaN HFETの素子間分離

〇沖 勇吾1、富樫 拓也1、越智 亮太1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)

[21a-P06-4]Mgイオン打ち込みしたGaNに対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS構造を用いた評価

〇新藤 源大1、畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)

[21a-P06-5]Mgイオン注入後低温アニールを行ったGaNのMOS構造を用いた評価

〇羅 宇瀏1、畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)

[21a-P06-6]p-GaN MOS構造界面特性の絶縁膜依存性

〇焦 一寧1、忽滑谷 崇秀1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)

[21a-P06-7]四元混晶AlGaInN エミッタとp 型GaInN ベースを用いた GaN 系 HBT の作製

〇滝本 将也1、間瀬 晃1、小嶋 智輝1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名古屋工業大学)

[21a-P06-8]X線吸収分光による絶縁膜/GaN界面の原子構造解析

〇磯村 典武1、菊田 大悟1、高橋 直子1、小坂 悟1、片岡 恵太1 (1.豊田中研)

[21a-P06-9]光電子ホログラフィによるPMA処理後のAl2O3/GaN界面評価

〇夏井 葉月1、上沼 睦典1,2、富田 広人1、橋本 由介1、松下 智祐1、藤井 茉美3、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.産総研、3.近畿大)

[21a-P06-10]AlGaN供給層の窒素キャリアガスMOVPE成長における成長温度依存性

〇山田 敦史1、多木 俊裕1、中村 哲一1 (1.富士通)

[21a-P06-11]単結晶AlN基板上高AlN比Al0.7Ga0.3NチャネルHFETの作製（Ⅱ）

〇米谷 宜展1、川出 智之1、田中 さくら1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大工)

[21a-P06-12]アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性

〇町田 龍人1、岸本 尚之2、礒前 雄人2、林 拓也2、國澤 宗真2、遠藤 聡2、藤代 博記2、山下 良美1、原 紳介1、笠松 章史1、渡邊 一世1,2 (1.情報通信研究機構、2.東理大)

[21a-P06-13]1.2kV級ノーマリーオフ PSJ GaN FET

〇八木 修一1、中村 嘉孝1、神山 祐輔1、河崎 孝彦1、北原 諒二1、伊佐 雄太1、成井 啓修1 (1.株式会社パウデック)

[21a-P06-14]窒化物半導体デバイス応用に向けたTetraethoxysilaneを用いたプラズマ化学気相堆積法によるSiO2膜の基礎的評価

〇鹿田 颯吾1 (1.豊橋技科大)
英語発表

[21a-P06-15]Annealing temperature dependence of In/Au electrode performance on p-GaN

〇MariaEmma Castil Villamin1, Naotaka Iwata1 (1.Toyota Tech Inst)

[21a-P06-16]電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価

〇(M1)吉村 遥翔1、今林 弘毅1、堀切 文正2、成田 好伸2、藤倉 序章2、太田 博3、三島 友義3、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.住友化学、3.法政大)

[21a-P06-17]基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜/窒化物半導体構造のX線光電子分光評価

〇山形 翔1、鹿田 颯吾1、古川 雅一2、若原 昭浩1、岡田 浩1 (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ(有))
カテゴリ一覧へ戻る