講演情報
[21a-P07-2]シリコンキャップアニールを行った4H-SiCの深い準位の解析
〇花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広島大先進理工)
キーワード：
炭化ケイ素,DLTS
シリコンキャップアニール(SiCA)を施した４H-SiCに対し, DLTS測定を行い, 深い準位を評価した. その結果, n型4H-SiC で検出されるZ1/2 準位に起因するピークが検出された.この準位に対するアレニウスプロットから欠陥密度NTを見積もったところ, SiCA処理を行っていないサンプルにおいては2.9×1013 cm-3であり, SiCAを行ったサンプルにおいては4.8×1012 cm-3と欠陥密度が大きく減少する結果となった.