これまでに，ペロブスカイト鉄酸化物SrFeO_3−δに対してプロトンを電気化学的に脱挿入することで電気抵抗が制御でき，さらに新しいプロトン含有相を安定化できることを報告してきた。本講演ではSrFeO_3−δとブラウンミレライト(BM)酸化物SrCoO_2.5を固溶したSr(Fe_1−xCo_x)O_3−δ (SFCO)に対して，プロトン伝導性をもつNafionをゲート絶縁体としたトランジスタ構造を作製してプロトン脱挿入を行った。PLD法でLSAT基板上に作製したSFCOではx ≥ 0.5でBM構造をとり，水素注入量や抵抗変化速度はCo量に依存することを明らかにした。