講演情報
[21p-A307-13]プロトン脱挿入によるSr(Fe,Co)O3−δの電気化学的物性制御
〇(DC)磯田 洋介1、菅 大介1、中溝 珠里2、間嶋 拓也2、島川 祐一1 (1.京大化研、2.京大院工)
キーワード：
遷移金属酸化物,電気化学制御,プロトン化
これまでに，ペロブスカイト鉄酸化物SrFeO3−δに対してプロトンを電気化学的に脱挿入することで電気抵抗が制御でき，さらに新しいプロトン含有相を安定化できることを報告してきた。本講演ではSrFeO3−δとブラウンミレライト(BM)酸化物SrCoO2.5を固溶したSr(Fe1−xCox)O3−δ (SFCO)に対して，プロトン伝導性をもつNafionをゲート絶縁体としたトランジスタ構造を作製してプロトン脱挿入を行った。PLD法でLSAT基板上に作製したSFCOではx ≥ 0.5でBM構造をとり，水素注入量や抵抗変化速度はCo量に依存することを明らかにした。