セッション詳細
[21p-A307-1~23]6.3 酸化物エレクトロニクス
2023年9月21日(木) 13:00 〜 19:15
A307 (熊本城ホール)
近松 彰(お茶の水女子大)、 廣瀬 文彦(山形大)、 高橋 圭(理研)
[21p-A307-1][講演奨励賞受賞記念講演] 磁気近接効果によるスピンアイスの磁気転移及び創発磁場の電気的検出
〇大野 瑞貴1、藤田 貴啓1、川﨑 雅司1,2 (1.東大工院、2.理研CEMS)
[21p-A307-2]DyFeO3/CaRuO3ヘテロ界面におけるトポロジカルホール効果
〇(M2)大村 昂輝1、藤田 貴啓1、川﨑 雅司1,2 (1.東京大工、2.理研 CEMS)
[21p-A307-4]PrおよびSmドープされたNdRuO3単結晶薄膜における磁気輸送特性
〇(M1)先崎 俊亮1、張 灵飛1、藤田 貴啓1、川崎 雅司1,2 (1.東大院工、2.理研)
[21p-A307-5]SrIrO3/La2/3Ba1/3MnO3のエピタキシャル界面におけるスピン軌道トルク生成
〇(D)堀 惣介1、上田 浩平1,2,3、木田 孝則4、萩原 政幸4、塩貝 純一1,2、松野 丈夫1,2,3 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大OTRIスピン、4.阪大先端強磁場)
[21p-A307-6]ペロブスカイト型鉄酸フッ化ビスマス薄膜の強誘電性と磁気特性
〇上垣外 明子1、佐野 瑞歩1、重松 圭2、出村 郷志3、片山 司4、廣瀬 靖5、近松 彰1 (1.お茶大理、2.東工大フロンティア材料研、3.日大理工、4.北大電子研、5.都立大理)
[21p-A307-9]適応的事前平均を用いたベイズ最適化によるストイキオメトリックなSrTiO3薄膜の成長
〇若林 勇希1、大塚 琢馬2、Yoshiharu Krockenberger1、澤田 宏2、谷保 芳孝1、山本 秀樹1 (1.NTT 物性研、2.NTT CS研)
[21p-A307-12]The influence of growth orientation on electrical response in LaSrNiO4 films
〇(D)Lingling Xie1, Daisuke Kan1, Yuichi Shimakawa1 (1.Kyoto Univ.)
[21p-A307-13]プロトン脱挿入によるSr(Fe,Co)O3−δの電気化学的物性制御
〇(DC)磯田 洋介1、菅 大介1、中溝 珠里2、間嶋 拓也2、島川 祐一1 (1.京大化研、2.京大院工)
[21p-A307-15]アモルファス酸化ニオブ系薄膜におけるエキシマレーザー照射による導電性制御
〇(M2)大澤 樹1、金子 健太1、金子 智2,1、松田 晃史1、吉本 護1 (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)
[21p-A307-16]電子強誘電体 YbFe2O4 薄膜の相形成におよぼす PLD 照射レーザーの影響 II
〇(D)嶋本 健人1、葉山 琢充1、市川 颯大1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
[21p-A307-17]真空紫外光励起酸素によるCoO薄膜の非加熱トポタキシャル相変化
〇(DC)金子 健太1、喬 宇馳1、金子 智2,1、吉本 護1、松田 晃史1 (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)
[21p-A307-20]プラズマスパッタリングRF電力によるLiTiO薄膜の結晶性制御とLiイオン電池への応用
〇丹羽 亮斗1、石原 雅之1、大前 知輝1、中田 智久1、横井 玲音1、花井 稜1、益本 幸泰1、内田 儀一郎1 (1.名城大理工)
[21p-A307-22]新規液体原料(Sn(EtCp)2)による酸化スズ薄膜の原子層堆積
〇水谷 文一1、水井 誠1、高橋 伸尚1、生田目 俊秀2 (1.高純度化学研、2.物材機構)