2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-A307-1~23]6.3 酸化物エレクトロニクス

2023年9月21日(木) 13:00 〜 19:15
A307 (熊本城ホール)
近松 彰(お茶の水女子大)、 廣瀬 文彦(山形大)、 高橋 圭(理研)
13:00 〜 13:15

[21p-A307-1][講演奨励賞受賞記念講演] 磁気近接効果によるスピンアイスの磁気転移及び創発磁場の電気的検出

〇大野 瑞貴1、藤田 貴啓1、川﨑 雅司1,2 (1.東大工院、2.理研CEMS)
13:15 〜 13:30奨励賞エントリー

[21p-A307-2]DyFeO3/CaRuO3ヘテロ界面におけるトポロジカルホール効果

〇(M2)大村 昂輝1、藤田 貴啓1、川﨑 雅司1,2 (1.東京大工、2.理研　CEMS)
13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[21p-A307-3]分子線エピタキシー法により作製したSrRuO3薄膜の量子輸送状態の評価

〇松木 優太1、西早 辰一1、大島 蓮1、三輪 史哉1、打田 正輝1 (1.東工大理)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[21p-A307-4]PrおよびSmドープされたNdRuO3単結晶薄膜における磁気輸送特性

〇(M1)先崎 俊亮1、張 灵飛1、藤田 貴啓1、川崎 雅司1,2 (1.東大院工、2.理研)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[21p-A307-5]SrIrO3/La2/3Ba1/3MnO3のエピタキシャル界面におけるスピン軌道トルク生成

〇(D)堀 惣介1、上田 浩平1,2,3、木田 孝則4、萩原 政幸4、塩貝 純一1,2、松野 丈夫1,2,3 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大OTRIスピン、4.阪大先端強磁場)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[21p-A307-6]ペロブスカイト型鉄酸フッ化ビスマス薄膜の強誘電性と磁気特性

〇上垣外 明子1、佐野 瑞歩1、重松 圭2、出村 郷志3、片山 司4、廣瀬 靖5、近松 彰1 (1.お茶大理、2.東工大フロンティア材料研、3.日大理工、4.北大電子研、5.都立大理)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[21p-A307-7]歪みLaxSr1-xVO3薄膜における非Fermi液体的挙動と反強磁性Mott転移

〇(M2)小川 茉白1、相馬 拓人1、大友 明1 (1.東工大物質理工)
14:45 〜 15:00

[21p-A307-8]NiZnAlフェライト薄膜におけるスピングラス特性とスピン波伝搬

〇(M2)末吉 七海1、唐 思逸1、関 宗俊1、田畑 仁1 (1.東大院工)
15:15 〜 15:30

[21p-A307-9]適応的事前平均を用いたベイズ最適化によるストイキオメトリックなSrTiO3薄膜の成長

〇若林 勇希1、大塚 琢馬2、Yoshiharu Krockenberger1、澤田 宏2、谷保 芳孝1、山本 秀樹1 (1.NTT 物性研、2.NTT CS研)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[21p-A307-10]複合酸化膜原子層堆積におけるDMZとTDMATの競合吸着反応の観察

〇鈴木 晴登1、宮澤 諒1、三浦 正範1、廣瀬 文彦1 (1.山形大院理工)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[21p-A307-11]二次元MoO3/三次元WO3エピタキシャル積層膜の作製とLi挿入挙動

〇(M1)細川 紳1、相馬 拓人1、大友 明1 (1.東工大物質理工)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー英語発表

[21p-A307-12]The influence of growth orientation on electrical response in LaSrNiO4 films

〇(D)Lingling Xie1, Daisuke Kan1, Yuichi Shimakawa1 (1.Kyoto Univ.)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[21p-A307-13]プロトン脱挿入によるSr(Fe,Co)O3−δの電気化学的物性制御

〇(DC)磯田 洋介1、菅 大介1、中溝 珠里2、間嶋 拓也2、島川 祐一1 (1.京大化研、2.京大院工)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[21p-A307-14]異常高原子価ダブルペロブスカイト型LaSrFeNiO6薄膜の合成

〇(M2)本田 裕貴1、相馬 拓人1、大友 明1 (1.東工大物質理工)
16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[21p-A307-15]アモルファス酸化ニオブ系薄膜におけるエキシマレーザー照射による導電性制御

〇(M2)大澤 樹1、金子 健太1、金子 智2,1、松田 晃史1、吉本 護1 (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)
17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[21p-A307-16]電子強誘電体 YbFe2O4 薄膜の相形成におよぼす PLD 照射レーザーの影響 II

〇(D)嶋本 健人1、葉山 琢充1、市川 颯大1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[21p-A307-17]真空紫外光励起酸素によるCoO薄膜の非加熱トポタキシャル相変化

〇(DC)金子 健太1、喬 宇馳1、金子 智2,1、吉本 護1、松田 晃史1 (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)
17:45 〜 18:00

[21p-A307-18]レーザ照射による酸化チタンの結晶構造および物性の制御

〇堤 正紀1、田中 秀和2 (1.村田製作所、2.阪大産研)
18:00 〜 18:15

[21p-A307-19]NaClO溶液の酸化作用を利用した酸化物薄膜の酸素欠陥低減に関する研究

〇浅沼 周太郎1 (1.産総研)
18:15 〜 18:30

[21p-A307-20]プラズマスパッタリングRF電力によるLiTiO薄膜の結晶性制御とLiイオン電池への応用

〇丹羽 亮斗1、石原 雅之1、大前 知輝1、中田 智久1、横井 玲音1、花井 稜1、益本 幸泰1、内田 儀一郎1 (1.名城大理工)
18:30 〜 18:45

[21p-A307-21]無添加およびＳｉ添加ＷＯ３薄膜のエピタキシャル成長と結晶構造

〇安達 裕1 (1.NIMS)
18:45 〜 19:00

[21p-A307-22]新規液体原料（Sn(EtCp)2）による酸化スズ薄膜の原子層堆積

〇水谷 文一1、水井 誠1、高橋 伸尚1、生田目 俊秀2 (1.高純度化学研、2.物材機構)
19:00 〜 19:15

[21p-A307-23]顕微ラマン分光法とスペクトル解析による多層電極付n型β-Ga2O3結晶の熱応力に関する研究

〇各務 良哉1、須田 潤1 (1.中京大工)
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