講演情報

[21p-A307-21]無添加およびSi添加WO薄膜のエピタキシャル成長と結晶構造

〇安達 裕1 (1.NIMS)

キーワード:

ガスセンサ,ガス選択性,不純物添加

WO3はSiを添加することによりアセトンに対して優れたガスセンサ応答特性を示すことが知られている。このアセトンに対するセンサ応答特性の向上は、Si添加による低温単斜晶相の生成に起因するものと考えられているが、粉末による報告がほとんどである。本研究では、無添加およびSi添加WO3薄膜のエピタキシャル成長により低温単斜晶相が生成可能であるかを調査した。