[21p-A307-1~23] 6.3 酸化物エレクトロニクス

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[21p-A307-3] 分子線エピタキシー法により作製したSrRuO₃薄膜の量子輸送状態の評価

〇松木 優太¹、西早 辰一¹、大島 蓮¹、三輪 史哉¹、打田 正輝¹ (1.東工大理)

キーワード：

量子振動

我々のグループはこれまで分子線エピタキシー法を用いてRuddlesden-Popper 型Sr_n+1Ru_nO_3n+1について高品質な薄膜試料の作製を行ってきた。そこで、本研究ではn = ∞に該当するSrRuO₃に着目し、分子線エピタキシー法による薄膜作製を行った。
SrTiO₃(100)ステップ基板を用いて、基板温度、Ruフラックス, 酸化源ガスの供給圧などの条件を変えながらSrRuO₃薄膜を作製した。特に、高いRRRをもつ薄膜試料において、低温強磁場下で量子振動の観測に成功した。