[21p-B101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:45 〜 16:00

[21p-B101-9] ナノテンプレート選択成長法によるSi(111)基板上InGaN/GaNナノコラム成長

〇星野 航太¹、吉村 賢哉¹、髙橋 昂司¹、工藤 駿介¹、山田 純平²、富樫 理恵^1,2、岸野 克巳² (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

キーワード：

結晶成長