セッション詳細

[21p-B101-1~16]15.4 III-V族窒化物結晶

2023年9月21日(木) 13:30 〜 18:00
B101 (市民会館)
小林 篤(東理大)、 正直 花奈子(京大)、 林 侑介(阪大)

[21p-B101-1]スパッタ法を用いて作製した高濃度Ge添加n型GaN薄膜の光学特性評価

〇内藤 愛子1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)

[21p-B101-2]スパッタ法によるGe添加AlGaN薄膜の成長と評価

〇内藤 愛子1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)

[21p-B101-3]スパッタ法により形成したn型縮退GaNトンネル接合コンタクトLEDの低電圧動作

〇Hwang Jeongeui1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)

[21p-B101-4]MOCVD法とスパッタ法で再成長したn+-GaNを用いたN極性GaN HEMTのオーミックコンタクトの比較

〇平崎 貴英1、早坂 明泰1、岡田 政也1、眞壁 勇夫1、辻 幸洋1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)

[21p-B101-5]ECRスパッタ法を使用したGaN薄膜の成膜に関する研究

〇鳥居 博典1,2、田中 こずえ1、松井 伸介2 (1.JSWアフティ、2.千葉工業大学)

[21p-B101-6]ScAlMgO4基板上InGaNのRF-MBE成長におけるIn組成制御

〇出浦 桃子1、久保 祐太2、山田 泰弘2、藤井 高志2、荒木 努2 (1.立命館大R-GIRO、2.立命館大院理工)

[21p-B101-7]ScAlMgO4基板上RF-MBE成長InGaN薄膜の極微構造評価

〇山田 泰弘1、久保 祐太1、和田 邑一1、出浦 桃子2、藤井 高志1、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)

[21p-B101-8](10-11)上GaInN/GaInN MQWs成長による高効率赤色発光

〇赤川 広海1、山田 純平2、山口 智広1、富樫 理恵2,3、尾沼 猛儀1、野村 一郎2,3、本田 徹1、岸野 克巳2 (1.工学院大、2.上智大ナノテク、3.上智大理工)

[21p-B101-9]ナノテンプレート選択成長法によるSi(111)基板上InGaN/GaNナノコラム成長

〇星野 航太1、吉村 賢哉1、髙橋 昂司1、工藤 駿介1、山田 純平2、富樫 理恵1,2、岸野 克巳2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

[21p-B101-10]その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入GaInN RF-MBE成長
-GaInNの成長温度依存性-

〇(M2)竹内 丈1、佐々木 拓生2、大熊 豪1、横山 晴香1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1、名西 憓之3 (1.工学院大学、2.量研、3.立命館大学)

[21p-B101-11]InGaN熱電薄膜の結晶成長と特性評価

〇出浦 桃子1、服部 翔太2、荒木 努2 (1.立命館大R-GIRO、2.立命館大院理工)

[21p-B101-12]InAlN熱電薄膜のRF-MBE成長

〇服部 翔太1、荒木 努1、出浦 桃子2 (1.立命館大院理工、2.R-GIRO)

[21p-B101-13]グラフェンナノパターンマスクを用いたr面サファイア基板上でのa面GaNマイクロチャンネルエピタキシーの検討

〇横井 稜也1、柳瀬 優太1、長村 皓平1、丸山 隆浩1、成塚 重弥1 (1.名城大理工)

[21p-B101-14]マイクロシェブロンレーザー走査法によるGaN膜中の単結晶帯成長

〇(M1)岡本 和士1、吉田 浩貴1、葉 文昌1 (1.島根大学 自然科学研研究科)

[21p-B101-15]RF-MBE法を用いた低温AlN成長のAl/N比依存性

〇河上 結馬1、荒木 努1、出浦 桃子2 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)

[21p-B101-16]AlNテンプレート基板を用いたAlNリモートエピタキシー予備実験

〇(M2)長村 皓平1、横井 稜也1、丸山 隆浩1、成塚 重弥1 (1.名城大理工)