講演情報
[21p-C501-4]630%を超える室温トンネル磁気抵抗比の観測
Scheike Thomas1、Wen Zhenchao1、〇介川 裕章1、三谷 誠司1 (1.NIMS)
キーワード：
トンネル磁気抵抗効果,強磁性トンネル接合
CoFe/MgO/CoFe構造のエピタキシャル強磁性トンネル接合に着目し、MgOバリア界面の精密な制御を行うことで室温最大のトンネル磁気抵抗比となる631%を実現した。またMgOバリア厚さに対し大きくトンネル磁気抵抗比が振動する現象が現れ、その最大上下幅は140%を超えることがわかった。