講演情報
[21p-D902-4]Siナノワイヤバイオセンサ空乏領域の推測による高感度化要因の解明
〇張 慧1、邱 亜威1、大澤 郁弥1、大嶋 紀安2、加治佐 平3、坂田 利弥4、和泉 孝志2,5、曾根 逸人1 (1.群馬大院理工、2.群馬大院医、3.東洋大、4.東京大院工、5.帝京平成大)
キーワード：
Siナノワイヤバイオセンサ,高感度,空乏領域の推測
Siナノワイヤ（NW）バイオセンサは電界効果トランジスタ原理を利用して低濃度の生体分子の検出が可能である。しかし、SiNWバイオセンサの高感度化の要因及び検出限界は解明されていない。本研究では、SiNWを幅10 nmに細線化することでセンサの検出限界に挑戦し、異なる幅のSiNWセンサの電流変化を測定することで生体分子の微量電荷に誘起された空乏領域の厚さを推測した。これにより、センサの高感度化の要因及び検出限界を明らかにした。