[21p-P04-1~4] 15.1 バルク結晶成長

[21p-P04-1] 高濃度B添加CZ-Si結晶育成における組成的過冷却発生の定量解析

〇太子 敏則¹、福井 勇希¹ (1.信州大工)

キーワード：

シリコン,組成的過冷却

本研究では、Hurleの判別式を用いてのSi結晶中のB濃度からの定量的な組成的過冷却の発生を検証した。高濃度B添加Si単結晶を育成し、結晶を成長方向に沿って 切断し、固化率に対しての抵抗率を四探針法で測定し B 濃度に換算した 。選択エッチングを 行った ウェハ を 用いて 組成的過冷却発生の様子を観察し、ウェハの中心軸上を 複数の領域に分け 、各領域においてHurle の判別式を用い 、組成的過冷却発生部位について検証を行った 。