[21p-P04-1~4] 15.1 バルク結晶成長

[21p-P04-3] Optical Floating Zone法を用いた[In_0.7Sn_0.15Zn_0.15]GaO₃(ZnO)₁の大型単結晶育成と物性評価

〇小海 稜太郎¹、井上 禎人¹、漆間 由都¹、加瀬 直樹¹、宮川 宣明¹ (1.東理大進)

キーワード：

IGZO,透明導電性酸化物,単結晶

TCOの一種であるInGaZnO₄のIn³⁺を、Sn⁴⁺とZn²⁺で部分置換した[In_0.7Sn_0.15Zn_0.15]GaO₃(ZnO)₁の大型単結晶の育成に成功した。結晶成長は液相法の一種であるOFZ法を用いて行った。この単結晶の電気伝導度・移動度を測定し、InGaZnO₄と比較を行うことでSn⁴⁺とZn²⁺が伝導に及ぼす影響について考察を行った。