講演情報
[21p-P07-1]CVDダイアモンドホモエピ成長における基板内積層欠陥の伝搬様式
〇坪内 信輝1 (1.産総研)
キーワード：
転位,積層欠陥
単結晶ダイアモンド基板に含まれる積層欠陥が、プラズマCVD法によるホモエピタキシャル膜の成長の際にどの様な形態で引き継がれるのかについて、各種顕微鏡観察により調べた結果について報告する。基板には高温高圧合成の(001)単結晶ダイアモンド板を用いた。膜形成後の試料の断面TEMによる観察を行ったところ、基板中の積層欠陥がエピ成長界面’付近でエピ[001]方向に延びる貫通転位列へと変化していることが分かった。