[21p-P09-1~30] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-P09-4] RF マグネトロンスパッタ法による酸化ガリウム薄膜の 作製と評価に関する研究

〇高橋 駿介¹、𠮷門 進三¹、堺 健司¹、佐藤 祐喜¹ (1.同志社大院理工)

キーワード：

酸化ガリウム,RFマグネトロンスパッタ法

Ga₂O₃にはα, β, γ, δ, ε の5 種類の結晶構造が確認されており，最安定相のβ 相では4.5~4.9eV と他の半導体材料と比較してバンドギャップが大きいという特徴がある。Ga₂O₃薄膜の作製方法としてミストCVD 法やMBE 法などが挙げられるが，溶液作製時にHCl ガス発生の恐れや成膜速度が小さいという課題点がある。本研究では，安全で成膜速度が大きいRF マグネトロンスパッタ法によるβ-Ga₂O₃薄膜の作製・評価を行ったので報告する。