セッション詳細

[21p-P09-1~30]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2023年9月21日(木) 13:30 〜 15:30
P09 (熊本城ホール)

[21p-P09-1]質量分析
法 による Ti(acac)2(OiPr)2ミスト診断

〇白井 肇1、横山 工純1 (1.埼玉大理工)

[21p-P09-2]非晶質酸化ガリウム薄膜固相結晶化へのエキシマレーザ照射条件の影響とマイクロ構造構築

〇塩尻 大士1、甲斐 稜也2、金子 智1,2、松田 晃史2、吉本 護2 (1.神奈川産技総研、2.東工大)

[21p-P09-4]RF マグネトロンスパッタ法による酸化ガリウム薄膜の 作製と評価に関する研究

〇高橋 駿介1、𠮷門 進三1、堺 健司1、佐藤 祐喜1 (1.同志社大院理工)

[21p-P09-6]逆 Stranski-Krastanov モードによる格子不整合基板上への原子平坦 (ZnO)x(InN)1-x 膜の成長

〇中野 祐太郎1、成重 椋太1、山下 尚人1、鎌滝 晋礼1、奥村 賢直1、古閑 一憲1、白谷 正治1、木山 治樹1、薮田 久人1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)

[21p-P09-7]ミストCVD法におけるGa2O3薄膜成長速度のGa原料種依存性

〇赤岩 和明1、市野 邦夫1、高橋 勲2、柿本 浩一2、吉川 彰2 (1.鳥取大学、2.東北大学)

[21p-P09-8]ZnOおよびScAlMgO4ステップ基板上への(ZnO)x(InN)1-x膜の室温エピタキシャル成長

〇成重 椋太1、中野 祐太朗1、山下 尚人1、鎌滝 晋礼1、奥村 賢直1、木山 治樹1、古閑 一憲1、白谷 正治1、薮田 久人1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)

[21p-P09-9]第一原理計算を用いたβ-Ga2O3(010)表面構造の解析

〇(M2)安田 朋記1、河村 貴宏1、秋山 亨1 (1.三重大院工)

[21p-P09-10]サファイア基板上への原子ステップを有するZn1-xMgxO薄膜の形成:3次元島バッファー層の形成温度の影響

〇矢高 功太郎1、湯上 貴文1、山下 尚人1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)

[21p-P09-11]逆Stranski-Krastanovモードを用いたサファイア基板上へのZnO単結晶膜成長:
MgOバッファー層の効果

〇湯上 貴文1、矢高 功太郎1、山下 尚人1、山下 大輔1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、木山 治樹1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)

[21p-P09-12]高Mg組成岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長

〇小川 広太郎1、高坂 亘1、日下 皓也1、三富 俊希1、山口 智広1、本田 徹1、太田 優一2、金子 健太郎3、藤田 静雄4、尾沼 猛儀1 (1.工学院大、2.都産技研、3.立命館大、4.京都大)

[21p-P09-13]UHVスパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長

〇三澤 亮太1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

[21p-P09-15]Mist CVD法によるα-GIO混晶成長とα線検出応用に向けた検討

〇(M2)山田 魁1、山田 琴乃1、山田 梨詠1、山本 拓実1、櫻井 辰大2、尾沼 猛儀1、山口 智広1、青木 徹2、中野 貴之2、本田 徹1 (1.工学院大学、2.静岡大学)

[21p-P09-16]Mist CVD法Sn-doped α-Ga2O3薄膜成長におけるSn溶液の静置時間変化

〇(M1)山田 琴乃1、山本 拓実1、山田 梨詠1、山田 魁1、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大学)

[21p-P09-17]ミストCVD法におけるα型酸化ガリウムの初期成長過程の検討

〇田村 大翔1、宇野 和行1 (1.和歌山大システム工)

[21p-P09-18]β-(ScxGa1−x)2O3薄膜の電子状態およびバンドオフセット評価

〇是石 和樹1、相馬 拓人1、組頭 広志2,3、大友 明1 (1.東工大物質理工、2.東北大多元研、3.高エネ研)

[21p-P09-19]β-(Ga1-xAlx)2O3 (x≤0.4)の光学バンドギャップの異方性

〇(M2)清水 広1、古川 翔子1、山中 明生1 (1.公立千歳科技大理工)

[21p-P09-20]水熱合成ナノ粒子から作製したZnGa2O4薄膜における光電流の温度特性

〇石井 聡1、加瀬 伶也1、中根 茂行2、名嘉 節2 (1.東京電機大、2.物材機構)

[21p-P09-21]Cu, N添加ZnO薄膜の電気伝導に及ぼす酸素流量比の影響

〇(M1)田中 雅樹1、勝俣 裕1 (1.明大理工)

[21p-P09-22]曲げ応力を印加したβ-Ga2O3(001)基板の顕微ラマン測定による断面応力分布評価

〇前田 一誠1、園田 友基1、蓮池 紀幸1、一色 俊之1、小林 健二2 (1.京工繊大、2.日立ハイテク)

[21p-P09-25]ZnON 膜からの固相結晶化 ZnO 膜の形成と透明導電膜シード層としての効果:ZnON 膜の結晶化度の影響

〇和田 義晴1、沈 志遠1、薮田 久人1、山下 尚人1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九州大学)

[21p-P09-26]ガリウムスズ酸化物薄膜ReRAMにおける負性微分抵抗の発現

〇(B)三上 創太1、木村 睦1、宮戸 祐治1 (1.龍谷大先端理工)

[21p-P09-27]ポリイミド系フレキシブル基板がNiO系太陽電池の電気特性に与える影響

〇小出 祐菜1、大久保 慶人1、友野 恵介1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)

[21p-P09-28]PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合素子における光応答及びキャリア輸送

〇寺迫 智昭1、矢木 正和2、山本 哲也3 (1.愛媛大院理工、2.香川高専、3.高知工科大総研)

[21p-P09-30]NaCl犠牲層を用いたSnO2薄膜の転写によるフレキシブルCO2ガスセンサの検討

〇服部 汰星1、前田 拓人1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)