セッション詳細

[21p-P09-1~30]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2023年9月21日(木) 13:30 〜 15:30
P09 (熊本城ホール)

[21p-P09-1]質量分析
法 による Ti(acac)2(OiPr)2ミスト診断

〇白井 肇1、横山 工純1 (1.埼玉大理工)

[21p-P09-2]非晶質酸化ガリウム薄膜固相結晶化へのエキシマレーザ照射条件の影響とマイクロ構造構築

〇塩尻 大士1、甲斐 稜也2、金子 智1,2、松田 晃史2、吉本 護2 (1.神奈川産技総研、2.東工大)

[21p-P09-3]大電力パルスマグネトロンスパッタリングを用いた結晶酸化亜鉛の低温成膜

〇(M2)長橋 克典1、太田 貴之1 (1.名城大理工)

[21p-P09-4]RF マグネトロンスパッタ法による酸化ガリウム薄膜の 作製と評価に関する研究

〇高橋 駿介1、𠮷門 進三1、堺 健司1、佐藤 祐喜1 (1.同志社大院理工)

[21p-P09-5]熱酸化法によるCu2O薄膜の形成における酸素分圧の影響

〇太田 雄介1、宮島 晋介1 (1.東工大)

[21p-P09-6]逆 Stranski-Krastanov モードによる格子不整合基板上への原子平坦 (ZnO)x(InN)1-x 膜の成長

〇中野 祐太郎1、成重 椋太1、山下 尚人1、鎌滝 晋礼1、奥村 賢直1、古閑 一憲1、白谷 正治1、木山 治樹1、薮田 久人1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)

[21p-P09-7]ミストCVD法におけるGa2O3薄膜成長速度のGa原料種依存性

〇赤岩 和明1、市野 邦夫1、高橋 勲2、柿本 浩一2、吉川 彰2 (1.鳥取大学、2.東北大学)

[21p-P09-8]ZnOおよびScAlMgO4ステップ基板上への(ZnO)x(InN)1-x膜の室温エピタキシャル成長

〇成重 椋太1、中野 祐太朗1、山下 尚人1、鎌滝 晋礼1、奥村 賢直1、木山 治樹1、古閑 一憲1、白谷 正治1、薮田 久人1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)

[21p-P09-9]第一原理計算を用いたβ-Ga2O3(010)表面構造の解析

〇(M2)安田 朋記1、河村 貴宏1、秋山 亨1 (1.三重大院工)

[21p-P09-10]サファイア基板上への原子ステップを有するZn1-xMgxO薄膜の形成:3次元島バッファー層の形成温度の影響

〇矢高 功太郎1、湯上 貴文1、山下 尚人1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)

[21p-P09-11]逆Stranski-Krastanovモードを用いたサファイア基板上へのZnO単結晶膜成長:
MgOバッファー層の効果

〇湯上 貴文1、矢高 功太郎1、山下 尚人1、山下 大輔1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、木山 治樹1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)

[21p-P09-12]高Mg組成岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長

〇小川 広太郎1、高坂 亘1、日下 皓也1、三富 俊希1、山口 智広1、本田 徹1、太田 優一2、金子 健太郎3、藤田 静雄4、尾沼 猛儀1 (1.工学院大、2.都産技研、3.立命館大、4.京都大)

[21p-P09-13]UHVスパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長

〇三澤 亮太1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

[21p-P09-14]ニッケルアンミン錯体を原料に用いた NiO 薄膜の成膜

〇久保田 佑1、安部 功二1 (1.名工大)

[21p-P09-15]Mist CVD法によるα-GIO混晶成長とα線検出応用に向けた検討

〇(M2)山田 魁1、山田 琴乃1、山田 梨詠1、山本 拓実1、櫻井 辰大2、尾沼 猛儀1、山口 智広1、青木 徹2、中野 貴之2、本田 徹1 (1.工学院大学、2.静岡大学)

[21p-P09-16]Mist CVD法Sn-doped α-Ga2O3薄膜成長におけるSn溶液の静置時間変化

〇(M1)山田 琴乃1、山本 拓実1、山田 梨詠1、山田 魁1、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大学)

[21p-P09-17]ミストCVD法におけるα型酸化ガリウムの初期成長過程の検討

〇田村 大翔1、宇野 和行1 (1.和歌山大システム工)

[21p-P09-18]β-(ScxGa1−x)2O3薄膜の電子状態およびバンドオフセット評価

〇是石 和樹1、相馬 拓人1、組頭 広志2,3、大友 明1 (1.東工大物質理工、2.東北大多元研、3.高エネ研)

[21p-P09-19]β-(Ga1-xAlx)2O3 (x≤0.4)の光学バンドギャップの異方性

〇(M2)清水 広1、古川 翔子1、山中 明生1 (1.公立千歳科技大理工)

[21p-P09-20]水熱合成ナノ粒子から作製したZnGa2O4薄膜における光電流の温度特性

〇石井 聡1、加瀬 伶也1、中根 茂行2、名嘉 節2 (1.東京電機大、2.物材機構)

[21p-P09-21]Cu, N添加ZnO薄膜の電気伝導に及ぼす酸素流量比の影響

〇(M1)田中 雅樹1、勝俣 裕1 (1.明大理工)

[21p-P09-22]曲げ応力を印加したβ-Ga2O3(001)基板の顕微ラマン測定による断面応力分布評価

〇前田 一誠1、園田 友基1、蓮池 紀幸1、一色 俊之1、小林 健二2 (1.京工繊大、2.日立ハイテク)

[21p-P09-23]大気圧MOVPE法でサファイア基板上に成膜したβ-Ga2O3薄膜の高濃度Siドーピング

〇浮田 駿1、田尻 武義1、内田 和男1 (1.電通大)

[21p-P09-24]Zn供給スパッタにより作製したGZO薄膜における抵抗率の膜厚依存性

〇玉井 勇伍1 (1.島根大自然)

[21p-P09-25]ZnON 膜からの固相結晶化 ZnO 膜の形成と透明導電膜シード層としての効果:ZnON 膜の結晶化度の影響

〇和田 義晴1、沈 志遠1、薮田 久人1、山下 尚人1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九州大学)

[21p-P09-26]ガリウムスズ酸化物薄膜ReRAMにおける負性微分抵抗の発現

〇(B)三上 創太1、木村 睦1、宮戸 祐治1 (1.龍谷大先端理工)

[21p-P09-27]ポリイミド系フレキシブル基板がNiO系太陽電池の電気特性に与える影響

〇小出 祐菜1、大久保 慶人1、友野 恵介1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)

[21p-P09-28]PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合素子における光応答及びキャリア輸送

〇寺迫 智昭1、矢木 正和2、山本 哲也3 (1.愛媛大院理工、2.香川高専、3.高知工科大総研)

[21p-P09-29](001) β-Ga2O3基板に対するHClガスエッチングの温度とHCl分圧依存性

大島 祐一1、〇大島 孝仁1 (1.NIMS)

[21p-P09-30]NaCl犠牲層を用いたSnO2薄膜の転写によるフレキシブルCO2ガスセンサの検討

〇服部 汰星1、前田 拓人1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)