講演情報
[22a-A201-10]HfO2/SiO2界面電荷量制御によるHfO2-FeFETの定電圧ディスターブ制御
〇浜井 貴将1、鈴木 都文1、市原 玲華1、吉村 瑶子1、佐久間 究1、松尾 和展1、藤井 章輔1、齋藤 真澄1 (1.キオクシア)
キーワード：
強誘電トランジスタ,不揮発メモリ
次世代高速メモリとして注目を集めるHfO2系強誘電膜とSiチャネルを用いたFeFETでは、強誘電層と界面SiO2層の間にトラップされる電荷がサイクル耐性やメモリウィンドウに強く影響する。本研究では界面トラップ電荷の揮発成分が内部電界の変調を通して分極反転の過渡的な挙動に影響することを明らかにした。さらに界面電荷の放電を促進する動作手法を提案し、メモリアレイで深刻な問題となるディスターブ（誤書込）耐性を4桁以上改善した。