セッション詳細

[22a-A201-1~12]CS.8 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション

2023年9月22日(金) 9:00 〜 12:15
A201 (熊本城ホール)
太田 裕之(産総研)、 清水 荘雄(物材機構)

[22a-A201-1]格子整合によるY 添加HfO2強誘電体薄膜の配向制御

〇(M2)前川 芳輝1、平井 浩司1、岡本 一輝1、清水 荘雄2、舟窪 浩1 (1.東工大物院、2.物質・材料研究機構)

[22a-A201-2]HfO2-CeO2膜における電気特性の膜厚及び組成依存性

平井 浩司1、〇岡本 一輝1、白石 貴久2,1、山岡 和希子3、鶴丸 理沙子3、井上 ゆか梨3、舟窪 浩1 (1.東工大、2.熊本大、3.TDK株式会社)

[22a-A201-3]Ga2O3基板上に作製したHf0.5Zr0.5O2薄膜の強誘電性の評価

〇内藤 圭吾1、山口 晃一2、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工、2.大阪府立大工)

[22a-A201-4]非加熱プロセスによる(Hf,Zr)O2を用いた強誘電体薄膜トランジスタの作製

〇(M1)飛鳥 剛士1、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1 (1.兵庫県立大工)

[22a-A201-5]HfO2 系強誘電体膜の絶縁破壊箇所の電子状態: レーザー励起光電子顕微鏡

〇藤原 弘和1、糸矢 祐喜2、小林 正治2,3、Bareille Cédric4,5、辛 埴5,6、谷内 敏之4,5 (1.東大物性研、2.東大生産研、3.東大d.lab、4.東大新領域、5.東大MIRC、6.東大特別教授室)

[22a-A201-6]Hf-Zr-O強誘電体薄膜の分極ドメインの挙動解析

〇右田 真司1、浅沼 周太郎1、森田 行則1、太田 裕之1 (1.産総研)

[22a-A201-7]強誘電体HfO2におけるECの膜厚依存性の特徴

〇鳥海 明1、右田 真司2 (1.自由業、2.産総研)

[22a-A201-8]強誘電性HfO2の分極反転機構

〇鳥海 明1、右田 真司2 (1.自由業、2.産総研)

[22a-A201-9]Influence of Electric Field during Holding Time on Imprint Characteristics in Hf0.5Zr0.5O2 MFM Capacitors

〇Zhenhong Liu1, Kasidit Toprasertpong1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1 (1.Tokyo Univ.)

[22a-A201-10]HfO2/SiO2界面電荷量制御によるHfO2-FeFETの定電圧ディスターブ制御

〇浜井 貴将1、鈴木 都文1、市原 玲華1、吉村 瑶子1、佐久間 究1、松尾 和展1、藤井 章輔1、齋藤 真澄1 (1.キオクシア)

[22a-A201-11]HZO-FeFETにおける読み出し動作の積算が分極状態に与える影響

〇大友 将樹1、トープラサートポン カシディット1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工)

[22a-A201-12]Impact of HZO Scaling in FeFET on the electrical characteristics

〇(D)ZUOCHENG CAI1, KASIDIT TOPRASERTPONG1, MITSURU TAKENAKA1, SHINICHI TAKAGI1 (1.The Univ. of Tokyo)