[22a-A201-1~12] CS.8 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

10:45 〜 11:00

[22a-A201-7] 強誘電体HfO₂におけるE_Cの膜厚依存性の特徴

〇鳥海 明¹、右田 真司² (1.自由業、2.産総研)

キーワード：

強誘電体,抗電界

強誘電体HfO₂のE_Cは他の強誘電体の場合と著しく異なることが報告されている。本講演ではその起源について議論する。