講演情報
[22a-A202-6]転写バルク結晶から100以上の単層MoS2半導体を得る電気化学手法
〇望月 陸1,2、大熊 光2、片山 裕美子2、上野 和紀2、藤村 紀文1、桐谷 乃輔2 (1.阪公大院工、2.東大院総合)
キーワード：
遷移金属カルコゲナイド,二硫化モリブデン,単層
MoS2はその電気的、光学的、機械的特性から次世代ナノエレクトロニクス材料としての実用化が期待されている。しかし現在広く用いられている単層作製法では、得られる試料は数µm四方程度に制限されてしまう。この問題の解決のため、我々はMoS2とイオン性液体の界面における電気化学反応に着目し、バルクから単層を作製する新規手法の開拓をおこなってきた。本発表では、作製した単層について特性評価を行ったので報告する。