2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[22a-A202-1~11]17.3 層状物質

2023年9月22日(金) 9:00 〜 12:00

A202 (熊本城ホール)

竹延大志(名大)

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[22a-A202-1]乾式プロセスによるMoS₂/サイトップ絶縁膜界面の特性評価

〇河野勇太¹、荒井俊人²、西村知紀¹、金橋魁利¹、長汐晃輔¹ (1.東大工、2.NIMS)

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[22a-A202-2]ReドープMoSe₂同一結晶面内ヘテロ構造によるトンネルFET動作

〇香崎飛竜¹、西村知紀¹、金橋魁利¹、上野啓司²、長汐晃輔¹ (1.東大、2.埼大)

9:30 〜 9:45

[22a-A202-3]Sb₂Te₃層状膜によるMoS₂上低抵抗コンタクトの実現

〇張文馨¹、畑山祥吾¹、齊藤雄太¹、岡田直也¹、遠藤尚彦²、宮田耕充²、入沢寿史¹ (1.産総研、2.都立大)

9:45 〜 10:00

[22a-A202-4]界面束縛双極子層を用いたMoS₂トランジスタの電荷注入スイッチング

木井浩喜¹、〇野内亮^2,3 (1.大阪府立大工、2.大阪公立大工、3.JSTさきがけ)

10:00 〜 10:15

[22a-A202-5]ドーパミン溶液/MoS₂-FETの電気特性

〇高岡毅¹、Nasiruddin Md²、和泉廣樹³、道祖尾恭之¹、安藤敦³、米田忠弘¹ (1.東北大多元研、2.東北大院理、3.産総研)

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[22a-A202-6]転写バルク結晶から100以上の単層MoS₂半導体を得る電気化学手法

〇望月陸^1,2、大熊光²、片山裕美子²、上野和紀²、藤村紀文¹、桐谷乃輔² (1.阪公大院工、2.東大院総合)

10:45 〜 11:00英語発表

[22a-A202-7]Controlling Photoisomerization and Thermal Reset of Azobenzene Molecules on the Channel of a MoS₂ Field Effect Transistor

〇(D)Md Nasiruddin¹, Tsuyoshi Takaoka¹, Yasuyuki Sainoo¹, Hiroki Waizumi¹, Fatema Tul Afroz¹, Kosuke Sakashita¹, Aoi Sato¹, Atsushi Ando², Tadahiro Komeda¹ (1.Tohoku Univ., 2.AIST)

11:00 〜 11:15

[22a-A202-8]単層MoS₂におけるバレー流の局所ゲート制御

〇高橋慶¹、福田和紀¹、渡邊賢治²、谷口尚²、柯夢南¹、青木伸之¹ (1.千葉大物質、2.物材機構)

11:15 〜 11:30

[22a-A202-9]スパッタMoS₂ 膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性

〇今井慎也¹、梶川亮介¹、川那子高暢¹、宗田伊理也¹、角嶋邦之¹、辰巳哲也¹、冨谷茂隆¹、筒井一生¹、若林整¹ (1.東工大)

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[22a-A202-10]ニホウ化アルミニウムの結晶成長と窒素還元反応評価

〇梨本一樹¹、堀口佳子²、熊谷明哉^3,4,2,5,6、岡田健¹ (1.東北大院工、2.東北大AIMR、3.東大IEI、4.PRESTO-JST、5.東北大院環境、6.東北大CSIS)

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[22a-A202-11]Zスキーム型g-C₃N₄/SnS₂光触媒実現のためのヘテロ接合形成および接合面積の増大化

〇(M1)森耀平¹、バスカーマラティ¹、ハリッシュサンダーナクリッシュナン²、ナバニーザンマニ²、中村篤志¹ (1.静岡大院、2.SRM Inst.)

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