2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[22a-A202-1~11]17.3 層状物質

2023年9月22日(金) 9:00 〜 12:00
A202 (熊本城ホール)
竹延 大志(名大)
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9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[22a-A202-1]乾式プロセスによるMoS2/サイトップ絶縁膜界面の特性評価

〇河野 勇太1、荒井 俊人2、西村 知紀1、金橋 魁利1、長汐 晃輔1 (1.東大工、2.NIMS)
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9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[22a-A202-2]ReドープMoSe2同一結晶面内ヘテロ構造によるトンネルFET動作

〇香崎 飛竜1、西村 知紀1、金橋 魁利1、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大、2.埼大)
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9:30 〜 9:45

[22a-A202-3]Sb2Te3層状膜によるMoS2上低抵抗コンタクトの実現

〇張 文馨1、畑山 祥吾1、齊藤 雄太1、岡田 直也1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、入沢 寿史1 (1.産総研、2.都立大)
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9:45 〜 10:00

[22a-A202-4]界面束縛双極子層を用いたMoS2トランジスタの電荷注入スイッチング

木井 浩喜1、〇野内 亮2,3 (1.大阪府立大工、2.大阪公立大工、3.JSTさきがけ)
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10:00 〜 10:15

[22a-A202-5]ドーパミン溶液/MoS2-FETの電気特性

〇高岡 毅1、Nasiruddin Md2、和泉 廣樹3、道祖尾 恭之1、安藤 敦3、米田 忠弘1 (1.東北大多元研、2.東北大院理、3.産総研)
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10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[22a-A202-6]転写バルク結晶から100以上の単層MoS2半導体を得る電気化学手法

〇望月 陸1,2、大熊 光2、片山 裕美子2、上野 和紀2、藤村 紀文1、桐谷 乃輔2 (1.阪公大院工、2.東大院総合)
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10:45 〜 11:00英語発表

[22a-A202-7]Controlling Photoisomerization and Thermal Reset of Azobenzene Molecules on the Channel of a MoS2 Field Effect Transistor

〇(D)Md Nasiruddin1, Tsuyoshi Takaoka1, Yasuyuki Sainoo1, Hiroki Waizumi1, Fatema Tul Afroz1, Kosuke Sakashita1, Aoi Sato1, Atsushi Ando2, Tadahiro Komeda1 (1.Tohoku Univ., 2.AIST)
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11:00 〜 11:15

[22a-A202-8]単層MoS2におけるバレー流の局所ゲート制御

〇高橋 慶1、福田 和紀1、渡邊 賢治2、谷口 尚2、柯 夢南1、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.物材機構)
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11:15 〜 11:30

[22a-A202-9]スパッタMoS2 膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性

〇今井 慎也1、梶川 亮介1、川那子 高暢1、宗田 伊理也1、角嶋 邦之1、辰巳 哲也1、冨谷 茂隆1、筒井 一生1、若林 整1 (1.東工大)
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11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[22a-A202-10]ニホウ化アルミニウムの結晶成長と窒素還元反応評価

〇梨本 一樹1、堀口 佳子2、熊谷 明哉3,4,2,5,6、岡田 健1 (1.東北大院工、2.東北大AIMR、3.東大IEI、4.PRESTO-JST、5.東北大院環境、6.東北大CSIS)
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11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[22a-A202-11]Zスキーム型g-C3N4/SnS2光触媒実現のためのヘテロ接合形成および接合面積の増大化

〇(M1)森 耀平1、バスカー マラティ1、ハリッシュ サンダーナクリッシュナン2、ナバニーザン マニ2、中村 篤志1 (1.静岡大院、2.SRM Inst.)
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