[22a-A501-1~3] CS.10 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

10:45 〜 11:00

[22a-A501-2] ハフニウムが吸着したSi(111)基板の局所/全域で進行する酸化反応機構

〇垣内 拓大¹、津田 泰孝²、吉越 章隆² (1.愛媛大院・理工、2.日本原子力研究開発機構)

キーワード：

半導体,二酸化ハフニウム,X線光電子分光法

本研究では、異なる量のHfが吸着したSi(111) [Hf-Si(111)]上に特定の運動エネルギーを持った酸素分子を照射しながら光電子分光法を行うことで化学状態変化を観測し、その表面界面の酸化反応機構を考察した。その結果、低被服率（0.5 ML)では、Hf-Si(111)の特異な吸着構造周辺でのみ酸化した。一方、数原子層（2.0 ML）では、酸化反応が表面の金属Hf層全域で速やかに進行した。