GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，GaN中に窒素原子変位を意図的に発生させ，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．これまでに我々は，電子線照射を用いて窒素(N)変位(V_N，N_I)関連欠陥により形成される伝導帯および価電子帯から1 eV以内の電子トラップおよび正孔トラップを報告してきた．今回，電子線照射によりN変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p+-n接合およびp-n+接合ダイオードを作製し，その順方向I-V特性の解析により，n-GaNおよびp-GaN中の再結合中心について評価した．その結果，n型p型にかかわらず，N変位関連欠陥が支配的な再結合中心として働くことを明らかにした．