2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22a-B201-1~12]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年9月22日(金) 9:00 〜 12:15
B201 (市民会館)
塩島 謙次(福井大)
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9:00 〜 9:15

[22a-B201-1][講演奨励賞受賞記念講演] 電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN中の再結合中心の評価

〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
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9:15 〜 9:30

[22a-B201-2]二次元複屈折およびフォトルミネッセンス測定によるGaNウエハの結晶モゼイクと点欠陥の評価

〇嶋 紘平1、秩父 重英1 (1.東北大多元研)
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9:30 〜 9:45

[22a-B201-3]HVPE成長Mg添加p型GaNのフォトルミネッセンススペクトル

〇秩父 重英1、大西 一生2、新田 州吾2、本田 善央2,3、天野 浩2,3、嶋 紘平1 (1.東北大多元研、2.名大IMaSS、3.名大高等研究院)
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9:45 〜 10:00

[22a-B201-4]GaN結晶中のMg凝集がMgアクセプタの電子状態に与える影響の第一原理計算を用いた評価

〇狩野 絵美1、長川 健太1、小林 功季1、大築 立旺1、白石 賢二1、押山 淳1、五十嵐 信行1 (1.名古屋大)
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10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[22a-B201-5]HVPE法で作製したFe，C，Mnドープ半絶縁性GaN基板の電気的特性評価

〇田中 大貴1、磯 憲司2,3、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.三菱ケミカル、3.名大未来研)
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10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[22a-B201-6]GaN HEMTにおけるトランジスタ特性とバルクトラップ回路パラメータの関連性（デバイスシミュレーション）

〇(M2)西嶋 尚1、久樂 顕2、山口 裕太郎2、大石 敏之1、新庄 真太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大学、2.三菱電機)
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10:45 〜 11:00

[22a-B201-7]GaN HEMTに対する低周波Y21とY22信号のドレイン電圧依存性

〇大石 敏之1、高田 栞1、久樂 顕2、山口 裕太郎2、新庄 真太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大、2.三菱電機)
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11:00 〜 11:15

[22a-B201-8]GaN HEMT中のトラップ位置と低周波Y21とY22虚部の関係（デバイスシミュレーションによる検討）

〇大石 敏之1、諸隈 奨吾1、久樂 顕2、山口 裕太郎2、新庄 真太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大、2.三菱電機)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[22a-B201-9]Sパラメータの周波数依存性を用いたトランジスタ動作時のGaN HEMTのトラップとRF特性の同時評価

〇(M1)津山 慎樹1、久樂 顕2、山口 裕太郎2、大石 敏之1、新庄 真太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大、2.三菱電機)
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11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[22a-B201-10]GaN HEMTの実測温度特性を用いた変調動作下の熱過渡特性解析

〇伊東 俊祐1、土屋 洋一1、田中 敦之2、須賀 唯知3、分島 彰男1 (1.名工大、2.名大、3.明星大)
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11:45 〜 12:00

[22a-B201-11]GaN-HEMTの過電圧印加時破壊過程

〇齋藤 渉1、西澤 伸一1 (1.九大応力研)
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12:00 〜 12:15

[22a-B201-12]コンタクトの異なるAlGaN/GaN界面2DEGの低周波ノイズ測定

〇上田 浩輔1、片倉 滉司、星井 拓也1、筒井 一生2、若林 整2、角嶋 邦之1 (1.東京工業大学工学院、2.東工大科学技術創成研)
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