講演情報
[22a-B201-11]GaN-HEMTの過電圧印加時破壊過程
〇齋藤 渉1、西澤 伸一1 (1.九大応力研)
キーワード：
GaN-HEMT,アバランシェ降伏,破壊過程
GaN-HEMTは低オン抵抗・高速スイッチングにより高効率な電力変換を実現するパワーデバイスとして、実用化されているが、アバランシェ降伏により素子が破壊するという問題がある。このため、保証電圧に対して大きな耐圧マージンを持たせた設計が採用され、低オン抵抗化の妨げとなっている。本発表では、繰り返し過電圧ストレス印加試験を行い、過電圧印加時のGaN-HEMTの破壊過程を調べた結果について報告する。