[22a-B202-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

10:45 〜 11:00

[22a-B202-7] p型Mg₂Si_1-xSn_x薄膜を用いたフォトダイオードの作製と特性評価

〇(M2)肥田 雄斗¹、勝俣 裕¹ (1.明大理工)

キーワード：

Mg2Si,半導体,Mg2Sn