2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.2 探索的材料物性・基礎物性

[22a-B202-1~9]13.2 探索的材料物性・基礎物性

2023年9月22日(金) 9:00 〜 11:30
B202 (市民会館)
寺井 慶和(九工大)、 大石 佑治(阪大)
9:00 〜 9:15

[22a-B202-1]垂直ブリッジマン法で成長した２インチMg2Si結晶の評価

〇鵜殿 治彦1、梅原 翼1、木村 侑生1、坂根 駿也1 (1.茨城大)
9:15 〜 9:30

[22a-B202-2]4探針プローブ法を用いたMg2Siバルク基板のキャリア密度評価

〇尾嶋 海人1、植松 達哉1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
9:30 〜 9:45

[22a-B202-3]Mg2Si短波長赤外線センサーのための反射防止膜の設計と作製

〇(D)チョウ ケンイ1、植田 香菜1、今泉 尚己2、名村 今日子1、鵜殿 治彦2、鈴木 基史1 (1.京大院工、2.茨城大院)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[22a-B202-4]短波長赤外イメージセンサに向けたMg2Si-PDの微細加工と特性評価

〇今泉 尚己1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
10:00 〜 10:15

[22a-B202-5]量産Mg2Siイメージセンサー向けの結晶開発とデバイス開発

〇小松 直佳1、清水 悦朗1 (1.京セラ)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[22a-B202-6]デバイスシミュレーションによるSi/Mg2Siヘテロ接合フォトダイオードの構造パラメータの最適化

〇(M1)淺野 圭祐1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
10:45 〜 11:00

[22a-B202-7]p型Mg2Si1-xSnx薄膜を用いたフォトダイオードの作製と特性評価

〇(M2)肥田 雄斗1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[22a-B202-8]熱光発電に向けたMg2Siフォトダイオードの電流電圧特性の評価

〇宮後 大介1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大院)
11:15 〜 11:30

[22a-B202-9]超高圧SPS装置の開発とそれで合成したMg2Si熱電材料の評価

〇森 嘉久1、中井 謙吾1、山崎 大輔2、芳野 極2 (1.岡理大院理、2.岡大惑物研)
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