講演情報
[22a-B205-5]塗布プロセスを用いた多層型逆構造QD-LEDの作製と高性能化
〇関野 太介1、伊東 栄次1 (1.信州大工)
キーワード：
半導体量子ドット,逆構造発光ダイオード,メニスカスコート法
本研究では塗布プロセスを用いた逆構造QD-LEDsの作製と高性能化に向けた検討を行った。また、メニスカスコートを用いた塗り重ね法と転写法を組み合わせてQD層の膜厚制御を行った。電子輸送層として電子輸送性の発光ポリマーであるF8BTを挿入することでQD層が約20 nm程度の時に、EQEは2.13%となりZnO/p-MeO-Phen/QD:PMMAの素子(1.96%)と同等以上の性能になった。